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दक्षिण कोरिया की एसके की फाउंड्री 650-वोल्ट गैलियम नाइट्राइड (GaN) उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर (HEMT) डिवाइस विशेषताओं की पुष्टि करती है 2025-01-10 15:04

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