Vitesco Technologia signa US$ 1.9 miliardis siliconis carbidi copia consensum cum DE semiconductore

Technologia Vitesco per X annos signavit, US$1.9 miliardis piorum carbidi producti copia pacti cum DE Semiconductore ut celerius crescens postulationem suam in electrificatione technicae artis occurreret. Technologia Vitesco US$ 250 decies centena millia in novo apparatu collocabit, incluso lagano carbido pii incremento et apparatu productionis lagani epitaxialis. DE Semiconductoris EliteSiC MOSFET in inverters Technologiae Vitesco et electrica productorum coegi adhibebitur.