Zhanxin Electronics bringt 1200-V-Hochstrom-MOSFET auf den Markt und besteht die Automobilzulassung

Der von Zhanxin Electronics entwickelte 1200-V-17-mΩ-SiC-MOSFET hat die AEC-Q101-Zertifizierung für die Automobilindustrie bestanden und ist für den Hauptmotorantrieb von Fahrzeugen mit neuer Energie geeignet. Das im TO247-4-Gehäuse verpackte Produkt hat einen maximalen Strom (Ids) von 111 A und einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Zhanxin Electronics bietet außerdem eine Reihe von SiC-MOSFET-, SBD- und Gate-Treiber-Chipprodukten im Automobilstandard an.