Zhanxin Electronics lança MOSFET de alta corrente de 1200 V e passa na certificação de nível automotivo
Eletrônica Zhanxin
AEC-Q
O
E
MOSFET
OS
SBD
SiC MOS
MOSFET SiC
TO247
um
padrão
série
motor
motor
motor
SiC
2024-12-20 14:12
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O MOSFET SiC 1200V 17mΩ desenvolvido pela Zhanxin Electronics passou na certificação de grau automotivo AEC-Q101 e é adequado para acionamento motorizado principal de veículos de nova energia. O produto embalado TO247-4 possui corrente máxima (Ids) de 111A e faixa de temperatura operacional de -55°C a 175°C. A Zhanxin Electronics também fornece uma série de produtos de chip SiC MOSFET, SBD e gate driver projetados para padrão automotivo.
