Zhanxin Electronics lancerer 1200V højstrøms MOSFET og består automotive grade certificering
Zhanxin elektronik
1200V
AEC-Q
De
MOSFET
SBD
SiC MOS
SiC MOSFET
De
TO247
standard
serie
chip
motor
tur
levere
bil
motor
rat
køre
design
ur
ring
motor
SiC
udvikle
EC
bil
2024-12-20 14:12
1
1200V 17mΩ SiC MOSFET udviklet af Zhanxin Electronics har bestået automotive grade AEC-Q101 certificering og er velegnet til hovedmotordrift af nye energikøretøjer. Det TO247-4-pakkede produkt har en maksimal strøm (Ids) på 111A og et driftstemperaturområde på -55°C til 175°C. Zhanxin Electronics leverer også en serie af standarddesignede SiC MOSFET-, SBD- og gatedriver-chipprodukter til biler.
