Zhanxin Electronics lanceert 1200V MOSFET met hoge stroomsterkte en behaalt de certificering voor auto's

De 1200V 17mΩ SiC MOSFET, ontwikkeld door Zhanxin Electronics, is geslaagd voor de AEC-Q101-certificering voor auto's en is geschikt voor hoofdmotoraandrijving van nieuwe energievoertuigen. Het TO247-4-verpakte product heeft een maximale stroomsterkte (Ids) van 111 A en een bedrijfstemperatuurbereik van -55°C tot 175°C. Zhanxin Electronics levert ook een reeks standaard ontworpen SiC MOSFET-, SBD- en gate driver-chipproducten voor de auto-industrie.