Η Zhanxin Electronics λανσάρει MOSFET υψηλού ρεύματος 1200V και περνά την πιστοποίηση ποιότητας αυτοκινήτου

Το 1200V 17mΩ SiC MOSFET που αναπτύχθηκε από την Zhanxin Electronics έχει περάσει την πιστοποίηση AEC-Q101 κατηγορίας αυτοκινήτου και είναι κατάλληλο για κύρια κίνηση κινητήρα οχημάτων νέας ενέργειας. Το συσκευασμένο προϊόν TO247-4 έχει μέγιστο ρεύμα (Ids) 111A και εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας από -55°C έως 175°C. Η Zhanxin Electronics παρέχει επίσης μια σειρά από προϊόντα τσιπ SiC MOSFET, SBD και οδηγού πύλης που έχουν σχεδιαστεί προτύπων αυτοκινήτου.