Zhanxin Electronics เปิดตัว MOSFET กระแสสูง 1200V และผ่านการรับรองเกรดยานยนต์

SiC MOSFET 1200V 17mΩ ที่พัฒนาโดย Zhanxin Electronics ผ่านการรับรองเกรดยานยนต์ AEC-Q101 และเหมาะสำหรับการขับเคลื่อนด้วยมอเตอร์หลักของยานพาหนะพลังงานใหม่ ผลิตภัณฑ์บรรจุภัณฑ์ TO247-4 มีกระแสสูงสุด (Ids) 111A และช่วงอุณหภูมิการทำงาน -55°C ถึง 175°C Zhanxin Electronics ยังนำเสนอชุดผลิตภัณฑ์ SiC MOSFET, SBD และชิปไดรเวอร์เกตที่เป็นมาตรฐานยานยนต์อีกด้วย