Zhanxin Electronics lanserar kompakt SiC-grinddrivrutin IVCR1412
stötdämpare
Zhanxin elektronik
Jiyue bil
Lämplig
De
IGBT
IVCR1412
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
De
del
trycka
stängning
extrem
duk
R1
industri
2024-12-20 14:12
1
Zhanxin Electronics IVCR1412 gate driver chip är nu i massproduktion. Det har negativ spänning och Miller effekt undertryckande funktioner. Det är förpackat i en extremt kompakt SOT23-6 och är lämplig för SiC MOSFET, Si MOSFET och IGBT. Detta chip har inget grindmotstånd, vilket minskar ströinduktansen och förbättrar den dynamiska strömdelningseffekten. Integrerad -2V avstängningsspänning stöder tillförlitlig MOSFET-avstängning. Lämplig för nya energifordon och andra industrier.
