Yangjie Technology bringt 1200 V 40 mΩ SiC-MOSFET auf den Markt

Mit der rasanten Entwicklung des Photovoltaik-Wechselrichtermarktes im Jahr 2021 ist die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Leistungsgeräten sprunghaft angestiegen. Der 1200-V-40-mΩ-SiC-MOSFET von Yangjie Technology zeichnet sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, schnelles Schalten, geringe Verluste usw. aus und eignet sich für Anwendungsszenarien mit hoher Spannung und hoher Frequenz. Dieser MOSFET hat strenge Zuverlässigkeitstests bestanden und ist in verschiedenen Verpackungsformen wie TO247AB und TO247-4L erhältlich. Geeignet für Photovoltaik-Wechselrichter, Elektrofahrzeuge, Ladesäulen und andere Bereiche.