Zhanxin Electronics ເປີດຕົວໄດເວີປະຕູ SiC ທີ່ຫນາແຫນ້ນ IVCR1412

Zhanxin Electronics ' IVCR1412 gate driver chip ປະຈຸບັນຢູ່ໃນການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ ມັນມີແຮງດັນທາງລົບແລະຫນ້າທີ່ສະກັດກັ້ນຜົນກະທົບຂອງ Miller ມັນໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນ SOT23-6 ທີ່ຫນາແຫນ້ນທີ່ສຸດແລະເຫມາະສົມກັບ SiC MOSFET, Si MOSFET ແລະ IGBT. ຊິບນີ້ບໍ່ມີຕົວຕ້ານທານປະຕູຮົ້ວ, ເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການ inductance stray ແລະປັບປຸງຜົນກະທົບການແບ່ງປັນໃນປະຈຸບັນແບບເຄື່ອນໄຫວ. ປະສົມປະສານ -2V ແຮງດັນ shutdown ສະຫນັບສະຫນູນການປິດ MOSFET ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້. ເຫມາະສໍາລັບຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່ແລະອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆ.