Yangjie Technology lanserar 1200V 40mΩ SiC MOSFET

Med den snabba utvecklingen av marknaden för fotovoltaiska växelriktare 2021 har efterfrågan på kraftenheter av kiselkarbid ökat. Yangjie Technologys 1200V 40mΩ SiC MOSFET har egenskaperna för hög temperaturbeständighet, snabb omkoppling, låg förlust, etc., och är lämplig för högspännings- och högfrekventa tillämpningsscenarier. Denna MOSFET har klarat strikta tillförlitlighetstester och finns i olika förpackningsformer som TO247AB och TO247-4L. Lämplig för fotovoltaiska växelriktare, elfordon, laddningshögar och andra områden.