Yangjie Technology выпускает SiC MOSFET 1200 В, 40 мОм

В связи с быстрым развитием рынка фотоэлектрических инверторов в 2021 году спрос на силовые устройства из карбида кремния резко возрос. SiC MOSFET на 1200 В, 40 мОм от Yangjie Technology обладает характеристиками высокой термостойкости, быстрого переключения, низких потерь и т. д. и подходит для сценариев применения с высоким напряжением и высокой частотой. Этот МОП-транзистор прошел строгие испытания на надежность и доступен в корпусах TO247AB и TO247-4L. Подходит для фотоэлектрических инверторов, электромобилей, зарядных станций и других областей.