Yangjie Technology uvádí na trh 1200V 40mΩ SiC MOSFET

S rychlým rozvojem trhu s fotovoltaickými invertory v roce 2021 vzrostla poptávka po energetických zařízeních z karbidu křemíku. SiC MOSFET 1200V 40mΩ společnosti Yangjie Technology má vlastnosti vysoké teplotní odolnosti, rychlého přepínání, nízkých ztrát atd. a je vhodný pro scénáře vysokonapěťových a vysokofrekvenčních aplikací. Tento MOSFET prošel přísným testováním spolehlivosti a je dostupný v různých formách balení, jako jsou TO247AB a TO247-4L. Vhodné pro fotovoltaické střídače, elektrická vozidla, nabíjecí hromady a další pole.