A Yangjie Technology piacra dobja az 1200V 40mΩ SiC MOSFET-et

A fotovoltaikus inverterek piacának 2021-es gyors fejlődésével megnőtt a kereslet a szilícium-karbid tápegységek iránt. A Yangjie Technology 1200 V-os 40 mΩ-os SiC MOSFET-je a magas hőmérséklet-ellenállás, a gyors kapcsolás, az alacsony veszteség stb. jellemzőivel rendelkezik, és alkalmas nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz. Ez a MOSFET szigorú megbízhatósági vizsgálaton esett át, és különféle csomagolási formákban kapható, például TO247AB és TO247-4L. Alkalmas fotovoltaikus inverterekhez, elektromos járművekhez, töltőcölöpökhöz és egyéb területekhez.