Yangjie Tegnologie stel 1200V 40mΩ SiC MOSFET bekend

Met die vinnige ontwikkeling van die fotovoltaïese omskakelaarmark in 2021, het die vraag na silikonkarbiedkragtoestelle gestyg. Yangjie Tegnologie se 1200V 40mΩ SiC MOSFET het die kenmerke van hoë temperatuur weerstand, vinnige skakeling, lae verlies, ens., en is geskik vir hoë spanning en hoë frekwensie toepassing scenario's. Hierdie MOSFET het streng betroubaarheidstoetse geslaag en is beskikbaar in TO247AB en TO247-4L pakkette. Geskik vir fotovoltaïese omsetters, elektriese voertuie, laaistapels en ander velde.