长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目一期投资100亿元

长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等环节。