Ruichuang ekibi, InAs'ın taban bantları arası kademeli lazerlerinin araştırmasında büyük bir atılım gerçekleştirdi.

Ruichuang Araştırma Enstitüsü ve fotonik ekibi, InAs temel bant kademeli lazerlerin (ICL'ler) araştırmasında dikkate değer sonuçlar elde etti ve bir dizi yüksek performanslı, oda sıcaklığında sürekli çalışan çok lazer dalga boyuna sahip ICL'leri başarıyla geliştirdi. Bu lazerler, moleküler ışın epitaksi teknolojisi kullanılarak InAs substratları üzerinde büyütülür ve üretilen dar sırtlı cihazlar, 4,6 μm ve 5,2 μm oda sıcaklığında lazer dalga boylarına sahiptir. Geleneksel GaSb tabanlı ICL'lerle karşılaştırıldığında InAs tabanlı ICL'ler, daha uzun dalga boylarında daha düşük eşik akım yoğunluğuna sahiptir. İlgili araştırma sonuçları iki dergi makalesinde yayınlanmıştır.