Hengyuan Semiconductor нь 12 инчийн оптик зэрэглэлийн литийн ниобатын талст эх үүсвэрийг амжилттай бүтээжээ.

Hengyuan Semiconductor компани нь 12 инчийн (300 мм диаметр) литийн ниобатын болор эх үүсвэрийн гол цөмийг амжилттай бүтээснээ зарлав. Энэхүү амжилт нь хагас дамжуулагч материалын салбарт компанийн хувьд томоохон нээлт болж байна.