Hengyuan Semiconductor ประสบความสำเร็จในการพัฒนาแกนแหล่งกำเนิดคริสตัลลิเธียมไนโอเบตเกรดแสงขนาด 12 นิ้ว

Hengyuan Semiconductor Company ประกาศว่าบริษัทประสบความสำเร็จในการพัฒนาแกนแหล่งกำเนิดคริสตัลลิเธียมไนโอเบตเกรดออปติคัลขนาด 12 นิ้ว (เส้นผ่านศูนย์กลาง 300 มม.) ความสำเร็จนี้ถือเป็นความก้าวหน้าครั้งสำคัญของบริษัทในด้านวัสดุเซมิคอนดักเตอร์