Ontwikkelingsstatus van vermogenshalfgeleidermaterialen

Vermogenshalfgeleidermaterialen hebben vier generaties ontwikkeling doorgemaakt, van het initiële silicium (Si) en germanium (Ge) tot de huidige derde generatie halfgeleidermaterialen met grote bandafstand, zoals siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN).