Состояние развития силовых полупроводниковых материалов

Силовые полупроводниковые материалы претерпели четыре поколения разработки: от исходного кремния (Si) и германия (Ge) до нынешних широкозонных полупроводниковых материалов третьего поколения, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN).