Stanje razvoja močnostnih polprevodniških materialov

Močnostni polprevodniški materiali so doživeli štiri generacije razvoja, od začetnega silicija (Si) in germanija (Ge) do trenutne tretje generacije polprevodniških materialov s široko pasovno vrzeljo, kot sta silicijev karbid (SiC) in galijev nitrid (GaN).