Стан розвитку силових напівпровідникових матеріалів

Силові напівпровідникові матеріали пройшли розвиток чотирьох поколінь, від початкового кремнію (Si) і германію (Ge) до нинішніх широкозонних напівпровідникових матеріалів третього покоління, таких як карбід кремнію (SiC) і нітрид галію (GaN).