Galios puslaidininkinių medžiagų raidos būklė

Galios puslaidininkinės medžiagos buvo kuriamos keturias kartas: nuo pradinio silicio (Si) ir germanio (Ge) iki dabartinių trečiosios kartos plataus dažnio puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicio karbidas (SiC) ir galio nitridas (GaN).