英飛凌發表新型CoolSiC™ MOSFET 2000 V

英飛凌科技推出新型CoolSiC™ MOSFET 2000 V，採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，滿足對高功率密度的需求，並保證在高壓和高頻條件下系統可靠性不受影響。這款MOSFET適用於太陽能、儲能係統和電動車充電等應用，並具有低開關損耗的特性。