Infineon bringt neuen CoolSiC™ MOSFET 2000 V auf den Markt

Infineon Technologies bringt den neuen CoolSiC™ MOSFET 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse auf den Markt, um die Nachfrage nach hoher Leistungsdichte zu erfüllen und sicherzustellen, dass die Systemzuverlässigkeit unter Hochspannungs- und Hochfrequenzbedingungen nicht beeinträchtigt wird. Dieser MOSFET eignet sich für Anwendungen wie Solarenergie, Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen und zeichnet sich durch geringe Schaltverluste aus.