Infineon lance le nouveau CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies lance le nouveau CoolSiC™ MOSFET 2000 V dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC pour répondre à la demande de densité de puissance élevée et garantir que la fiabilité du système n'est pas affectée dans des conditions de haute tension et de haute fréquence. Ce MOSFET convient aux applications telles que l'énergie solaire, les systèmes de stockage d'énergie et la recharge des véhicules électriques, et présente de faibles pertes de commutation.