Infineon lanseeraa uuden CoolSiC™ MOSFET 2000 V:n

Infineon Technologies lanseeraa uuden CoolSiC™ MOSFET 2000 V TO-247PLUS-4-HCC-paketissa vastatakseen suuren tehotiheyden vaatimuksiin ja varmistaakseen, että järjestelmän luotettavuus ei vaikuta korkean jännitteen ja korkean taajuuden olosuhteissa. Tämä MOSFET sopii sovelluksiin, kuten aurinkoenergiaan, energian varastointijärjestelmiin ja sähköajoneuvojen lataukseen, ja siinä on pienet kytkentähäviöt.