Infineon lanceert nieuwe CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies lanceert de nieuwe CoolSiC™ MOSFET 2000 V in TO-247PLUS-4-HCC-pakket om te voldoen aan de vraag naar hoge vermogensdichtheid en ervoor te zorgen dat de systeembetrouwbaarheid niet wordt beïnvloed onder omstandigheden van hoge spanning en hoge frequentie. Deze MOSFET is geschikt voor toepassingen zoals zonne-energie, energieopslagsystemen en het opladen van elektrische voertuigen en beschikt over lage schakelverliezen.