Infineon lanza el nuevo MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Infineon Technologies lanza el nuevo CoolSiC™ MOSFET 2000 V en paquete TO-247PLUS-4-HCC para satisfacer la demanda de alta densidad de potencia y garantizar que la confiabilidad del sistema no se vea afectada en condiciones de alto voltaje y alta frecuencia. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones como energía solar, sistemas de almacenamiento de energía y carga de vehículos eléctricos, y presenta bajas pérdidas de conmutación.