Infineon lancia il nuovo MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Infineon Technologies lancia il nuovo CoolSiC™ MOSFET da 2000 V nel contenitore TO-247PLUS-4-HCC per soddisfare la domanda di elevata densità di potenza e garantire che l'affidabilità del sistema non venga compromessa in condizioni di alta tensione e alta frequenza. Questo MOSFET è adatto per applicazioni quali energia solare, sistemi di accumulo di energia e ricarica di veicoli elettrici e presenta basse perdite di commutazione.