Infineon lancéiert neie CoolSiC™ MOSFET 2000 V
Kuwa Technologie
2000 V
CoolSiC
Si
ET 200
MOSFET
Si
Cool
Energie
Héich
Zouverlässegkeet
Technologie
Opluedstatioun
Solar
elektresch
Opluedstatioun
Opluedstatioun
SiC
2024-12-23 09:33
0
Infineon Technologies lancéiert neie CoolSiC ™ MOSFET 2000 V am TO-247PLUS-4-HCC Package fir d'Demande fir héich Kraaftdicht ze treffen an ze garantéieren datt d'Zouverlässegkeet vum System net ënner Héichspannungs- an Héichfrequenzbedéngungen beaflosst gëtt. Dëse MOSFET ass gëeegent fir Uwendungen wéi Solarenergie, Energiespeichersystemer an elektresch Gefierer Opluedstatiounen, a weist niddereg Schaltverloschter.
