Η Infineon λανσάρει το νέο CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Η Infineon Technologies λανσάρει το νέο CoolSiC™ MOSFET 2000 V σε πακέτο TO-247PLUS-4-HCC για να καλύψει τη ζήτηση για υψηλή πυκνότητα ισχύος και να διασφαλίσει ότι η αξιοπιστία του συστήματος δεν επηρεάζεται υπό συνθήκες υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας. Αυτό το MOSFET είναι κατάλληλο για εφαρμογές όπως ηλιακή ενέργεια, συστήματα αποθήκευσης ενέργειας και φόρτιση ηλεκτρικών οχημάτων και διαθέτει χαμηλές απώλειες μεταγωγής.