Infineon представляет новый MOSFET CoolSiC™ 2000 В

Infineon Technologies представляет новый MOSFET CoolSiC™ 2000 В в корпусе TO-247PLUS-4-HCC, чтобы удовлетворить спрос на высокую плотность мощности и гарантировать, что надежность системы не пострадает в условиях высокого напряжения и высокой частоты. Этот МОП-транзистор подходит для таких приложений, как солнечная энергия, системы хранения энергии и зарядка электромобилей, и имеет низкие потери при переключении.