Infineon пуска нов CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies пуска нов CoolSiC™ MOSFET 2000 V в пакет TO-247PLUS-4-HCC, за да отговори на търсенето на висока плътност на мощността и да гарантира, че надеждността на системата не се влияе при условия на високо напрежение и висока честота. Този MOSFET е подходящ за приложения като слънчева енергия, системи за съхранение на енергия и зареждане на електрически превозни средства и се характеризира с ниски загуби при превключване.