Infineon wprowadza na rynek nowy układ MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Infineon Technologies wprowadza na rynek nowy układ MOSFET CoolSiC™ 2000 V w obudowie TO-247PLUS-4-HCC, aby zaspokoić zapotrzebowanie na wysoką gęstość mocy i zapewnić, że niezawodność systemu nie będzie miała wpływu w warunkach wysokiego napięcia i wysokiej częstotliwości. Ten MOSFET nadaje się do zastosowań takich jak energia słoneczna, systemy magazynowania energii i ładowanie pojazdów elektrycznych i charakteryzuje się niskimi stratami przełączania.