Infineon uvádza na trh nový CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies uvádza na trh nový CoolSiC™ MOSFET 2000 V v balení TO-247PLUS-4-HCC, aby splnil požiadavku na vysokú hustotu výkonu a zaistil, že spoľahlivosť systému nebude ovplyvnená pri vysokonapäťových a vysokofrekvenčných podmienkach. Tento MOSFET je vhodný pre aplikácie, ako je solárna energia, systémy skladovania energie a nabíjanie elektrických vozidiel, a vyznačuje sa nízkymi spínacími stratami.