Infineon uvádí na trh nový CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Společnost Infineon Technologies uvádí na trh nový MOSFET CoolSiC™ 2000 V v pouzdru TO-247PLUS-4-HCC, aby splnil požadavek na vysokou hustotu výkonu a zajistil, že spolehlivost systému nebude ovlivněna při vysokém napětí a vysoké frekvenci. Tento MOSFET je vhodný pro aplikace, jako je solární energie, systémy skladování energie a nabíjení elektromobilů, a vyznačuje se nízkými spínacími ztrátami.