Infineon випускає новий CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies випускає новий CoolSiC™ MOSFET 2000 В у корпусі TO-247PLUS-4-HCC, щоб задовольнити потреби у високій щільності потужності та гарантувати, що надійність системи не впливає на високу напругу та високу частоту. Цей МОП-транзистор підходить для таких застосувань, як сонячна енергія, системи накопичення енергії та заряджання електромобілів, і має низькі втрати при перемиканні.