Infineon nxjerr në treg MOSFET të ri CoolSiC™ 2000 V

Infineon Technologies lançon CoolSiC™ MOSFET 2000 V të ri në paketën TO-247PLUS-4-HCC për të përmbushur kërkesën për densitet të lartë të energjisë dhe për të siguruar që besueshmëria e sistemit të mos ndikohet në kushte të tensionit të lartë dhe frekuencës së lartë. Ky MOSFET është i përshtatshëm për aplikime të tilla si energjia diellore, sistemet e ruajtjes së energjisë dhe karikimi i automjeteve elektrike, dhe ka humbje të ulëta të ndërrimit.