Infineon ने नया CoolSiC™ MOSFET 2000 V लॉन्च किया

Infineon Technologies ने उच्च ऊर्जा घनत्व की मांग को पूरा करने और यह सुनिश्चित करने के लिए TO-247PLUS-4-HCC पैकेज में नया CoolSiC™ MOSFET 2000 V लॉन्च किया है और यह सुनिश्चित किया है कि उच्च वोल्टेज और उच्च आवृत्ति स्थितियों के तहत सिस्टम की विश्वसनीयता प्रभावित न हो। यह MOSFET सौर ऊर्जा, ऊर्जा भंडारण प्रणालियों और इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, और कम स्विचिंग हानि की सुविधा देता है।