Infineon ເປີດຕົວ CoolSiC™ MOSFET 2000 V ໃໝ່

Changan Lumin gallium nitride ເຫມາະສົມ CoolSiC ໄຟຟ້າ ນີ້ ແລະ MOSFET ມ ຕາ ພາຍໃຕ້ ບໍ່ ຮັບປະກັນ ສູນ ພະລັງງານ ຮັກສາ ຊຸດ ລົດໄຟ ຮັບປະກັນ ສະຫຼັບ ລົດ ສະຫຼັບ ສູງ ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື ການສູນເສຍ ທ ຄວາມຫນາແຫນ້ນ ນ ສູງ ຄວາມຖີ່ສູງ ຄໍາ ພະລັງງານ ສູງ ແສງຕາເວັນ ການເກັບຮັກສາ ການສູນເສຍ ຟ ແຮງດັນ ໄຟຟ້າ ໄຟຟ້າ ລົດໄຟ ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ ການເກັບຮັກສາ ຊຸດ ບໍ່ ປີ SiC ຮັກສາ ໄຟຟ້າ ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານ ໄຟ ນີ້ ສາກໄຟ ລົດ
2024-12-23 09:33
 0
Infineon Technologies ເປີດຕົວ CoolSiC™ MOSFET 2000 V ໃຫມ່ໃນຊຸດ TO-247PLUS-4-HCC ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງແລະຮັບປະກັນວ່າຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລະບົບບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂແຮງດັນສູງແລະຄວາມຖີ່ສູງ. MOSFET ນີ້ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຊັ່ນ: ພະລັງງານແສງຕາເວັນ, ລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານແລະການສາກໄຟລົດໄຟຟ້າ, ແລະຄຸນນະສົມບັດການສູນເສຍສະຫຼັບຕ່ໍາ.


News
Exclusive
Data
Account