დეტალური ახსნა GAC-ის მესამე თაობის ღრუბლის სილიკონის ანოდის მყარი მდგომარეობის ბატარეის ტექნოლოგიის შესახებ

GAC Group-მა გამოავლინა, რომ მისმა მესამე თაობის სპონგური სილიკონის ანოდის მყარი მდგომარეობის ბატარეის ტექნოლოგიამ მიაღწია ენერგიის სიმკვრივეს 400 ვტ/სთ/კგ-ზე მეტს. მიმდინარე მასობრივი წარმოების თხევად ლითიუმ-იონურ ბატარეებთან შედარებით, ამ ბატარეის მოცულობითი ენერგიის სიმკვრივე და მასის ენერგიის სიმკვრივე გაიზარდა შესაბამისად 52% და 50%-ზე მეტით და ადვილად შეუძლია მიაღწიოს 1000 კილომეტრზე მეტი საკრუიზო დიაპაზონს. გარდა ამისა, ბატარეას აქვს უსაფრთხოების შესანიშნავი მახასიათებლები, როგორიცაა სტაბილურობა პინჩის და ჭრის ტესტებში და 200 გრადუსიანი ცხელ ყუთის გაძლების უნარი.