Infineon უშვებს ახალ CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies უშვებს ახალ CoolSiC™ MOSFET 2000 V TO-247PLUS-4-HCC პაკეტში, რათა დააკმაყოფილოს მაღალი სიმძლავრის მოთხოვნილება და უზრუნველყოს, რომ სისტემის საიმედოობა არ იმოქმედებს მაღალი ძაბვისა და მაღალი სიხშირის პირობებში. ეს MOSFET შესაფერისია ისეთი აპლიკაციებისთვის, როგორიცაა მზის ენერგია, ენერგიის შესანახი სისტემები და ელექტრო მანქანების დამუხტვა და აქვს დაბალი გადართვის დანაკარგები.