Frammistaða samþættrar nýrrar kynslóðar SiC MOSFET vara Xinlian hefur náð háþróaða stigi heimsins

Xinlian Integration sagði í frammistöðuspá sinni að frammistaða nýjustu kynslóðar SiC MOSFET vörur fyrirtækisins hafi náð háþróaða stigi heimsins. Að auki ætlar Xinlian Integration einnig að byggja fyrstu 8 tommu SiC tækja R&D framleiðslulínuna í landinu árið 2024 og hefur undirritað samstarfssamninga við fjölda nýrra orkutækja OEM.