Xinlian integrēto jaunās paaudzes SiC MOSFET produktu veiktspēja ir sasniegusi pasaules progresīvo līmeni

Xinlian Integration savā darbības prognozē norādīja, ka uzņēmuma jaunākās paaudzes SiC MOSFET produktu veiktspēja ir sasniegusi pasaules progresīvo līmeni. Turklāt Xinlian Integration arī plāno 2024. gadā uzbūvēt valstī pirmo 8 collu SiC ierīču pētniecības un izstrādes ražošanas līniju, un tā ir parakstījusi sadarbības līgumus ar vairākiem jauniem enerģijas transportlīdzekļu oriģinālo iekārtu ražotājiem.