Продуктивність інтегрованих продуктів Xinlian нового покоління SiC MOSFET досягла передового світового рівня

1
Xinlian Integration заявила у своєму прогнозі ефективності, що продуктивність продукції останнього покоління SiC MOSFET компанії досягла передового світового рівня. Крім того, Xinlian Integration також планує побудувати першу в країні 8-дюймову лінію для досліджень і розробок пристроїв SiC у 2024 році та підписала угоди про співпрацю з низкою виробників нових енерготранспортних засобів.