Xinliani integreeritud uue põlvkonna SiC MOSFET toodete jõudlus on jõudnud maailma kõrgtasemeni

Xinlian Integration märkis oma tulemusprognoosis, et ettevõtte uusima põlvkonna SiC MOSFET toodete jõudlus on jõudnud maailma kõrgtasemeni. Lisaks plaanib Xinlian Integration 2024. aastal ehitada ka riigi esimese 8-tollise SiC-seadmete uurimis- ja arendustegevuse tootmisliini ning on sõlminud koostöölepingud mitmete uute energiasõidukite originaalseadmete tootjatega.