ประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ SiC MOSFET รุ่นใหม่ที่บูรณาการของ Xinlian ก้าวไปสู่ระดับขั้นสูงของโลก

Xinlian Integration ระบุในการคาดการณ์ประสิทธิภาพว่าประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ SiC MOSFET รุ่นล่าสุดของบริษัทได้ก้าวไปสู่ระดับขั้นสูงของโลกแล้ว นอกจากนี้ Xinlian Integration ยังวางแผนที่จะสร้างสายการผลิตวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์ SiC ขนาด 8 นิ้วแห่งแรกของประเทศในปี 2567 และได้ลงนามข้อตกลงความร่วมมือกับ OEM รถยนต์พลังงานใหม่หลายราย